MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 100 V, 1.9 mΩ Modalità di potenziamento, 292 A, 3 Pin, H2PAK-2,

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Codice RS:
800-459
Codice costruttore:
STH285N10F8-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

292A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

H2PAK-2

Serie

STH285N10F8-2AG

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.9mΩ

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

177nC

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

4V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.8mm

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

ECOPACK

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza con modalità di potenziamento a canale N da 100 V STMicroelectronics è progettato con la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura di gate a trincea migliorata.

Certificazione AEC-Q101

Massima temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Eccellente FoM (figura di merito)

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