MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 10 Ω Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, H2PAK-2, Superficie STH2N120K5-2AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-438
Codice costruttore:
STH2N120K5-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

MDmesh K5

Tipo di package

H2PAK-2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.8mm

Altezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è progettato utilizzando la tecnologia MDmesh K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza e una carica di gate estremamente bassa per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

Certificazione AEC-Q101

RDS(on) x area più bassa del settore

Il miglior FoM del settore

Carica di gate ultra bassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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