MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 40 mΩ Miglioramento, 40 A, 7 Pin, H2PAK-7, Superficie SCT040H120G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-232
Codice costruttore:
SCT040H120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

2.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.8mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Lunghezza

15.25mm

Larghezza

10.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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