MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 40 mΩ Miglioramento, 40 A, 7 Pin, H2PAK-7, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

13,43 €

(IVA esclusa)

16,38 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 975 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 913,43 €
10 - 9912,08 €
100 +11,15 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-232
Codice costruttore:
SCT040H120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione diretta Vf

2.6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Lunghezza

15.25mm

Altezza

4.8mm

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Link consigliati