MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 63 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, H2PAK-7, Superficie SCT070H120G3-7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-961
Codice costruttore:
SCT070H120G3-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Tensione diretta Vf

3V

Dissipazione di potenza massima Pd

224W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.25mm

Larghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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