MOSFET STMicroelectronics, canale N, 55 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale

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Codice RS:
214-951
Codice costruttore:
SCT025H120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

55 A

Tensione massima drain source

1200 V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCT025H120G3AG

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Modalità del canale

Enhancement

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

SiC

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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