MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 30 A 1200 V, H2PAK-7, Foro passante Miglioramento, 7 Pin SCT070H120G3AG

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Codice RS:
482-977
Codice costruttore:
SCT070H120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.25mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

10.4mm

Larghezza

24.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
IT
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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