Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale N, 51 A 650 V, H2PAK-7, Superficie Miglioramento, 7 Pin
- Codice RS:
- 481-129
- Codice costruttore:
- STH65N050DM9-7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 481-129
- Codice costruttore:
- STH65N050DM9-7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | STH65N | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.25mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Larghezza | 24.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie STH65N | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.25mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Larghezza 24.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics è realizzato con l'avanzata tecnologia MDmesh DM9 a supergiunzione, progettata per applicazioni a media e alta tensione. È caratterizzato da una RDS(on) estremamente bassa per area e da un diodo a recupero rapido, che lo rende ideale per la commutazione ad alta efficienza. La tecnologia del silicio DM9 utilizza un processo di produzione multi-drain che migliora la struttura e le prestazioni del dispositivo. Con una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero rapido (trr) e una bassa RDS(on), questo MOSFET è ottimizzato per le topologie a ponte più esigenti e per i convertitori a sfasamento ZVS.
Bassa carica e resistenza del gate
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di pilotaggio supplementare
Certificazione AEC-Q100
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