MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 0.02 Ω 650 V, 95 A Depletion, H2PAK, Superficie, 7 Pin SCTH100N65G2-7AG

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

25,40 €

(IVA esclusa)

30,99 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 01 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 4925,40 €
50 - 9922,49 €
100 - 24921,91 €
250 - 49921,34 €
500 +20,81 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5481
Codice costruttore:
SCTH100N65G2-7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

162nC

Tensione diretta Vf

2.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

360W

Minima temperatura operativa

-65°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.4mm

Altezza

15.25mm

Larghezza

4.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

Link consigliati