MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.02 Ω 650 V, 95 A Depletion, H2PAK, Superficie, 7 Pin

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Codice RS:
202-5480
Codice costruttore:
SCTH100N65G2-7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCT

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.02Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

2.8V

Minima temperatura operativa

-65°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

162nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

360W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.8mm

Altezza

15.25mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio di qualità automobilistica STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Bassa capacitanza

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