IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 108 A, H2PAK-7

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

2,10 €

(IVA esclusa)

2,56 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1850 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 92,10 €
10 - 991,93 €
100 - 4991,88 €
500 - 9991,84 €
1000 +1,79 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-362
Codice costruttore:
GH50H65DRB2-7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

108 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

385 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

7

Paese di origine:
CN
La nuova serie di IGBT 650 HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione dell'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, e in termini di riduzione dell'energia di commutazione.

Certificazione AEC-Q100
Temperatura massima di giunzione TJ pari a 175 °C
Serie di commutazione ad alta velocità
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione stretta dei parametri
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Coimbentato con diodo raddrizzatore ad alta resistenza
Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin kelvin di pilotaggio supplementare

Link consigliati