IGBT STMicroelectronics GH50H65DRB2-7AG, VCE 650 V, IC 108 A, H2PAK-7, 7 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-362
Codice costruttore:
GH50H65DRB2-7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

108A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

385W

Numero transistor

1

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.25mm

Altezza

4.8mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
La nuova serie di IGBT 650 HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione dell'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, e in termini di riduzione dell'energia di commutazione.

Certificazione AEC-Q100

Temperatura massima di giunzione TJ pari a 175 °C

Serie di commutazione ad alta velocità

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione stretta dei parametri

Bassa resistenza termica

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

Coimbentato con diodo raddrizzatore ad alta resistenza

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin kelvin di pilotaggio supplementare

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