IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, H2PAK-2

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Codice RS:
248-4893
Codice costruttore:
STGH30H65DFB-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

60 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

20V

Dissipazione di potenza massima

260 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

H2PAK-2

Configurazione

Single

Il prodotto di STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria di blocco del campo del gate della trincea. Il dispositivo fa parte della nuova serie di IGBT HB, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, il coefficiente di temperatura leggermente positivo di VCEsat e la distribuzione molto stretta dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Qualificato AEC-Q101
Serie di commutazione ad alta velocità
Parallelizzazione più sicura
Distribuzione dei parametri stretta
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo morbido e di recupero molto rapido

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