IGBT STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG, VCE 650 V, IC 30 A, H2PAK-2 Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
248-4894
Codice costruttore:
STGH30H65DFB-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

260W

Tipo di package

H2PAK-2

Tipo montaggio

Foro passante

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.55V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

STGH30H65DFB

Altezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il prodotto di STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria di blocco del campo del gate della trincea. Il dispositivo fa parte della nuova serie di IGBT HB, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e di commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Inoltre, il coefficiente di temperatura leggermente positivo di VCEsat e la distribuzione molto stretta dei parametri rendono più sicuro il funzionamento in parallelo.

Qualificato AEC-Q101

Serie di commutazione ad alta velocità

Parallelizzazione più sicura

Distribuzione dei parametri stretta

Bassa resistenza termica

Diodo antiparallelo morbido e di recupero molto rapido

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