IGBT STMicroelectronics STGP20H65DFB2, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-9876
Codice costruttore:
STGP20H65DFB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Numero transistor

1

Tipo di package

TO-220

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Paese di origine:
CN
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietary trench gate Field-Stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, e in termini di riduzione dell'energia di commutazione.

Temperatura di giunzione massima: TJ = 175 °C

Basso VCE(sat) = 1,65 V (tip.) a IC = 20 A

Diodo co-confezionato di recupero molto rapido e morbido

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione stretta dei parametri

Bassa resistenza termica

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