Canale N MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 51 A 650 V, H2PAK-7, Superficie Miglioramento, 7 Pin STH65N050DM9-7AG

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Codice RS:
481-127
Codice costruttore:
STH65N050DM9-7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

51A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

STH65N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Canale N

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

15.25mm

Larghezza

24.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics è realizzato con l'avanzata tecnologia MDmesh DM9 a supergiunzione, progettata per applicazioni a media e alta tensione. È caratterizzato da una RDS(on) estremamente bassa per area e da un diodo a recupero rapido, che lo rende ideale per la commutazione ad alta efficienza. La tecnologia del silicio DM9 utilizza un processo di produzione multi-drain che migliora la struttura e le prestazioni del dispositivo. Con una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero rapido (trr) e una bassa RDS(on), questo MOSFET è ottimizzato per le topologie a ponte più esigenti e per i convertitori a sfasamento ZVS.

Bassa carica e resistenza del gate

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Eccellenti prestazioni di commutazione grazie al pin di pilotaggio supplementare

Certificazione AEC-Q100

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