MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 67 mΩ Miglioramento, 45 A, 7 Pin, H2PAK, Superficie

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Codice RS:
224-9997
Codice costruttore:
SCTH35N65G2V-7AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Tensione diretta Vf

3.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.25mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

4.8 mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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