MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 116 A, 7 Pin, H2PAK, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

24.459,00 €

(IVA esclusa)

29.840,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +24,459 €24.459,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
201-0868
Codice costruttore:
SCTH90N65G2V-7
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

116A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SCTH90

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

484W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

157nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.25mm

Altezza

10.4mm

Larghezza

4.8 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics 650V ha una corrente nominale di 116A e una resistenza da drain a source di 18m Ohm. Ha una bassa resistenza in stato attivo per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Link consigliati