MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 650 V, 20 mΩ Miglioramento, 55 A, 7 Pin, H2PAK-7, Foro passante

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Codice RS:
719-465
Codice costruttore:
SCT018H65G3-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

Sct

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

385W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79.4nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Tensione diretta Vf

2.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

10.4mm

Lunghezza

15.25mm

Altezza

4.8mm

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET SiC avanzata e innovativa di 3a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Diodo intrinseco molto veloce e robusto

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Elevate prestazioni di commutazione

Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza

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