MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 20 mΩ Miglioramento, 55 A, 7 Pin, H2PAK-7, Foro passante

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Codice RS:
719-465
Codice costruttore:
SCT018H65G3-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

Sct

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

385W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

2.6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.25mm

Larghezza

10.4 mm

Altezza

4.8mm

Paese di origine:
CN

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