STMicroelectronics, canale Tipo N, 20 mΩ, 55 A 650 V, H2PAK-7, Superficie Miglioramento, 7 Pin SCT018H65G3-7

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Codice RS:
671-932
Codice costruttore:
SCT018H65G3-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

H2PAK-7

Serie

STPOWER Gen3 SiC MOSFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

385W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.25mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

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