MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 18.5 mΩ, 100 A, 7 Pin, H2PAK-7, Superficie SCT020H120G3AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
330-232
Codice costruttore:
SCT020H120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

SCT0

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18.5mΩ

Tensione diretta Vf

3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

555W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

121nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101, RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia MOSFET SiC di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Certificazione AEC-Q100

RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza

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