1 MOSFET STMicroelectronics, 0.21 Ω, 90 A 1.2 kV, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCTH70N120G2V-7

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-4224
Codice costruttore:
SCTH70N120G2V-7
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Numero elementi per chip

1

Tipo prodotto

MOSFET

Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds)

0.21 Ω

Massima corrente di scarico continua (Id)

90 A

Tensione massima della sorgente di scarico (Vds)

1.2 kV

Tipo di package

H2PAK-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Serie

SCTH70N

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitances

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.