MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 105 mΩ Miglioramento, 33 A, 7 Pin, H2PAK, Superficie

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Codice RS:
219-4221
Codice costruttore:
SCTH40N120G2V-7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

H2PAK

Serie

SCTH40N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

105mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

4.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.25mm

Standard automobilistico

No

Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.

Qualifica AEC-Q101

Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)

Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

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