MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 100 V, 0.054 Ω Modalità di potenziamento, 14.2 A, 8 Pin, P, Montaggio
- Codice RS:
- 829-345
- Codice costruttore:
- SISS110DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
1,03 €
(IVA esclusa)
1,26 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 13 settembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,03 € |
| 10 - 99 | 0,64 € |
| 100 - 499 | 0,42 € |
| 500 - 999 | 0,32 € |
| 1000 + | 0,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 829-345
- Codice costruttore:
- SISS110DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | SISS | |
| Tipo di package | P | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.054Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 24W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.30mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Lunghezza | 3.30mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie SISS | ||
Tipo di package P | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.054Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 24W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.30mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 1.04mm | ||
Lunghezza 3.30mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET a canale N di Vishay offre soluzioni efficienti di gestione dell'alimentazione con eccellenti capacità di conduzione. Progettato per le applicazioni più impegnative, offre prestazioni termiche e di commutazione superiori.
Dispone della tecnologia TrenchFET Gen IV per un'efficienza e prestazioni superiori
Garanzia del 100% RDS(on) e testato UIS per l'affidabilità in funzionamento
La corrente di drenaggio nominale continua di 11 A garantisce un'erogazione robusta
Ottimizzato per bassi valori RDS(on), migliorando le prestazioni termiche
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 6 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0027 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0156 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.00288 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0285 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 6 Pin Montaggio
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale