MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 30 V, 0.0192 Ω Modalità di potenziamento, 6 A, 8 Pin, TSOP-6, Montaggio

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Codice RS:
829-361
Codice costruttore:
SI7804BDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SI

Tipo di package

TSOP-6

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0192Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

19.9W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

1.07mm

Larghezza

3.30mm

Lunghezza

3.30mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per applicazioni di conversione CC/CC efficienti e di alimentazione del sistema, garantendo un funzionamento affidabile entro i limiti di tensione specificati.

La tecnologia TrenchFET Gen III migliora l'efficienza e le prestazioni

Il test R garantito al 100% garantisce un'elevata affidabilità

Materiale classificato per la conformità, a supporto delle normative ambientali

La corrente di drenaggio continua massima di 6 A aumenta la versatilità

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