MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 30 V, 0.0192 Ω Modalità di potenziamento, 6 A, 6 Pin, TSOP-6, Montaggio
- Codice RS:
- 829-360
- Codice costruttore:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 829-360
- Codice costruttore:
- SI3410BDV-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TSOP-6 | |
| Serie | SI | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0192Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.3W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.70mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TSOP-6 | ||
Serie SI | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0192Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.3W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.70mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente del carico nei circuiti elettronici. Funziona a una tensione massima drain-source di 30 V, ottimizzando l'uso dell'energia in varie applicazioni.
Offre una corrente di drenaggio continua massima di 6 A, garantendo l'affidabilità sotto carico
Presenta una bassa resistenza in stato attivo di 0,0192 Ohm a 10 V, contribuendo all'efficienza energetica
Realizzato con un contenitore TSOP-6 compatto, che facilita l'integrazione in progetti con limiti di spazio
Incorpora la tecnologia TrenchFET avanzata per prestazioni di commutazione migliorate
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