MOSFET di potenza Vishay, canale N 60 V, 1 Ω Modalità di potenziamento, 375 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
851-495
Codice costruttore:
SIHG033N60SF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

101nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Lunghezza

6mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni, offrendo un'eccezionale efficienza e affidabilità. Questo componente è dotato di tecnologia a diodo rapido, che lo rende adatto per condizioni di tensione e corrente impegnative.

La tecnologia della serie SF di ultima generazione migliora la longevità delle prestazioni

La bassa cifra di merito garantisce un funzionamento efficiente

Classificato per l'energia a valanga, garantisce la robustezza in condizioni estreme

La classificazione dei materiali favorisce la conformità in varie applicazioni

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