MOSFET singoli Vishay, canale Canale N 80 V, 0.00144 Ω Modalità di potenziamento, 352 A, 8 Pin, PowerPAK (8x8LR),

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Codice RS:
847-933
Codice costruttore:
SQJQ580ER-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

352A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK (8x8LR)

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00144Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

93nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS3 Compliant

Larghezza

8mm

Lunghezza

8mm

Altezza

1.60mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico di Vishay offre una commutazione efficiente ad alte prestazioni per una varietà di applicazioni impegnative, garantendo l'affidabilità in condizioni estreme.

La tecnologia TrenchFET Gen V garantisce una maggiore efficienza e prestazioni

Certificazione AEC-Q101 per applicazioni automobilistiche, che garantisce la conformità agli standard industriali

Corrente di drenaggio continua nominale a 352 A in condizioni standard

Il profilo sottile di 1,9 mm massimizza l'efficienza dello spazio nei progetti

testato al 100% per R e UIS, garantendo un funzionamento affidabile

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