MOSFET Vishay, canale N, 0,0031 Ω, 372 A, PowerPak 8 x 8LR, Montaggio superficiale

Codice RS:: 225-9965
Codice costruttore:: SQJQ148ER-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,0031 Ω, 372 A, PowerPak 8 x 8LR, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 225-9965
Codice costruttore:: SQJQ148ER-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SQJQ148ER-T1_GE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	372 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	PowerPak 8 x 8LR
Serie	N-Channel 40 V
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0031 Ω
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,0031 Ω, 372 A, PowerPak 8 x 8LR, Montaggio superficiale

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