MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0098 Ω Miglioramento, 105 A, 8 Pin, PowerPAK (8x8LR), Superficie SQJQ118ER-T1_GE3

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Codice RS:
735-272
Codice costruttore:
SQJQ118ER-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK (8x8LR)

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0098Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

10.42mm

Larghezza

8mm

Altezza

1.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

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