MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0098 Ω Miglioramento, 155 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ118E-T1_GE3

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Codice RS:
735-271
Codice costruttore:
SQJQ118E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

155A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0098Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.9mm

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

7.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

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