MOSFET Vishay, canale Canale P -80 V, 0.012 Ω Miglioramento, -175 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ181EL-T1_GE3

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Codice RS:
735-252
Codice costruttore:
SQJQ181EL-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-175A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

153nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

348W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

7.9mm

Lunghezza

8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

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