MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.04 mΩ Miglioramento, 118 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJ184EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0307
Codice costruttore:
SQJ184EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

118A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.04mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9 mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.

MOSFET di potenza TrenchFET

Qualificato AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Altezza minima di 1,9 mm

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