MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 375 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ148E-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5060
Codice costruttore:
SQJQ148E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

375A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJQ148E

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

325W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8mm

Altezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8.1 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore PowerPAK 8 x 8L con corrente di drain da 375 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Contenitore sottile da 1,6 mm

Resistenza termica molto bassa

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