MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.0014 mΩ Miglioramento, 245 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ186E-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0316
Codice costruttore:
SQJQ186E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

245A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0014mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

1.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualificato AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Altezza minima di 1,9 mm

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