MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0014 mΩ Miglioramento, 329 A, 8 Pin, PowerPAK (8x8LR), Superficie SQJQ186ER-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0314
Codice costruttore:
SQJQ186ER-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

329A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SQJQ186ER

Tipo di package

PowerPAK (8x8LR)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0014mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.9 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

6.15mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualificato AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Altezza minima di 1,9 mm

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