MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.0014 mΩ Miglioramento, 245 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ186E-T1_GE3

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Codice RS:
252-0315
Codice costruttore:
SQJQ186E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

245A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0014mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.9mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

4.9mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET per uso automobilistico di Vishay sono prodotti con un flusso di processo dedicato per garantire la massima robustezza. Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C, la serie SQ di Vishay Siliconix, qualificata AEC-Q101, è caratterizzata da tecnologie FET a canale N e P a bassa resistenza di accensione in package SO senza piombo (Pb) e alogeni.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualificato AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Altezza minima di 1,9 mm

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