MOSFET Vishay, canale N 40 V, 0.9 mΩ Miglioramento, 575 A, 8 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ144AE-T1_GE3

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Codice RS:
204-7197
Codice costruttore:
SQJQ144AE-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

575A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJQ144AE

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

600W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

145nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.7mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

8.2mm

Altezza

8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Vishay Automotive N-Channel da 40 V (D-S) e 175 °C è dotato di un contenitore sottile da 1,6 mm.

Resistenza termica molto bassa

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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