MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 72 V, 0.012 Ω Miglioramento, 54 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SQS178ELNW-T1_GE3

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Codice RS:
653-134
Codice costruttore:
SQS178ELNW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

54A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

72V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQS178EL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

3.3 mm

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti compatti e termicamente impegnativi. Supporta una tensione di scarico fino a 72 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK 1212-8SLW, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni elettriche e termiche ottimizzate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Terminali a fianco umidificabili

Conforme alla direttiva RoHS

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