MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 72 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 87 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SQS174ELNW-T1_GE3

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Codice RS:
653-126
Codice costruttore:
SQS174ELNW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

87A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

72V

Serie

SQS174ELNW

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0072Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

103W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.75mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti compatti e termicamente impegnativi. Supporta una tensione di scarico fino a 72 V e gestisce correnti di scarico continue fino a 87 A a 175 °C, il che lo rende adatto per i robusti sistemi di alimentazione automobilistica. Confezionato in PowerPAK 1212-8SLW, è dotato di tecnologia TrenchFET Gen IV per un RDS(on) ultrabasso e prestazioni termiche ottimizzate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Terminali a fianco umidificabili

Conforme alla direttiva RoHS

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