MOSFET singoli Vishay, canale N 80 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-104
- Codice costruttore:
- SISS32LDN-T1-BE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 653-104
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- SISS32LDN-T1-BE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 63A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | SISS32LDN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0072Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 65.7W | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 750μm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 63A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie SISS32LDN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0072Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 65.7W | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 750μm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
MOSFET singoli serie SISS32LDN Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 80 V, corrente di drenaggio continua massima 63 A - SISS32LDN-T1-BE3
Questo singolo dispositivo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale nell'elettronica industriale. Funziona come MOSFET in modalità di potenziamento adatto per applicazioni di azionamento e commutazione in cui sono richieste tensioni di drenaggio-sorgente elevate e una robusta gestione della corrente. Il componente è fornito in un contenitore PowerPAK compatto destinato all'assemblaggio SMD ed è conforme ai requisiti RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 80 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 63 A supporta la conduzione di carichi pesanti • Il basso valore RDS(on) di 0,0072 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 65,7 W consente un flusso termico sostenuto • La carica di gate tipica di 17,7 nC fornisce energia di commutazione controllata • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente il funzionamento ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per le fasi a mezzo ponte dell'azionamento del motore nei sistemi di automazione • Ideale per i convertitori c. c. - c. c. nei moduli di distribuzione dell'alimentazione • Utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di controllo industriali • Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e la distribuzione di corrente elevata
Quali sono i limiti di tensione gate che i progettisti devono rispettare?
La tensione da gate a sorgente non deve superare ±20 V per evitare lo stress dielettrico da gate.
Quali considerazioni termiche si applicano durante il layout del circuito stampato?
Data la dissipazione nominale di 65,7 W, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame e vie termiche per la diffusione del calore e collegarsi a un piano dissipatore se necessario.
In che modo il comportamento di commutazione influisce sulle emissioni elettromagnetiche?
La carica del gate di 17,7 nC influisce sui tempi di salita e discesa
il controllo delle velocità di oscillazione del gate drive e l'aggiunta di snubber aiutano a gestire i transienti di commutazione e le EMI.
Quali estremi ambientali può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per l'uso fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione per un'ampia compatibilità ambientale.
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