MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS32LDN-T1-BE3

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Codice RS:
653-103
Codice costruttore:
SISS32LDN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SISS32LDN

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0072Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.75mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 80 V. Confezionato in un PowerPAK 1212-8S compatto, è ideale per convertitori c.c./c.c., rettifica sincrona, controllo motore e commutazione batteria/carico.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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