MOSFET singoli Vishay, canale N 80 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS32LDN-T1-BE3

Codice RS:: 653-103
Codice costruttore:: SISS32LDN-T1-BE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale N 80 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS32LDN-T1-BE3

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1 nastro da 1

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Codice RS:: 653-103
Codice costruttore:: SISS32LDN-T1-BE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	63A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	SISS32LDN
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0072Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17.7nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	65.7W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.3mm
	Altezza	750μm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	3.3mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 63A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie SISS32LDN
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0072Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17.7nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 65.7W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.3mm
	Altezza 750μm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 3.3mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SISS32LDN-T1-BE3

Paese di origine:: TH

MOSFET singoli serie SISS32LDN Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 80 V, corrente di drenaggio continua massima 63 A - SISS32LDN-T1-BE3

Questo singolo dispositivo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale nell'elettronica industriale. Funziona come MOSFET in modalità di potenziamento adatto per applicazioni di azionamento e commutazione in cui sono richieste tensioni di drenaggio-sorgente elevate e una robusta gestione della corrente. Il componente è fornito in un contenitore PowerPAK compatto destinato all'assemblaggio SMD ed è conforme ai requisiti RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 80 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 63 A supporta la conduzione di carichi pesanti • Il basso valore RDS(on) di 0,0072 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico • La dissipazione di potenza di 65,7 W consente un flusso termico sostenuto • La carica di gate tipica di 17,7 nC fornisce energia di commutazione controllata • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C consente il funzionamento ad alta temperatura

Applicazioni

• Adatto per le fasi a mezzo ponte dell'azionamento del motore nei sistemi di automazione • Ideale per i convertitori c. c. - c. c. nei moduli di distribuzione dell'alimentazione • Utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di controllo industriali • Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e la distribuzione di corrente elevata

Quali sono i limiti di tensione gate che i progettisti devono rispettare?

La tensione da gate a sorgente non deve superare ±20 V per evitare lo stress dielettrico da gate.

Quali considerazioni termiche si applicano durante il layout del circuito stampato?

Data la dissipazione nominale di 65,7 W, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame e vie termiche per la diffusione del calore e collegarsi a un piano dissipatore se necessario.

In che modo il comportamento di commutazione influisce sulle emissioni elettromagnetiche?

La carica del gate di 17,7 nC influisce sui tempi di salita e discesa

il controllo delle velocità di oscillazione del gate drive e l'aggiunta di snubber aiutano a gestire i transienti di commutazione e le EMI.

Quali estremi ambientali può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per l'uso fino a -55 °C e fino a 150 °C di temperatura di giunzione per un'ampia compatibilità ambientale.