MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 150 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 119 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIRS5702DP-T1-RE3

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Codice RS:
653-130
Codice costruttore:
SIRS5702DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIRS5702DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0072Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Lunghezza

6.10mm

Larghezza

5.10 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi a elevata densità di potenza. Supporta fino a 150 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8S, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen V per fornire un RDS(on) ultrabasso, una carica di gate ridotta e prestazioni termiche eccellenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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