MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 72 V, 0.0072 Ω Miglioramento, 87 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-127
- Codice costruttore:
- SQS174ELNW-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 1 unità*
1,67 €
(IVA esclusa)
2,04 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,67 € |
| 25 - 99 | 1,62 € |
| 100 - 499 | 1,58 € |
| 500 - 999 | 1,37 € |
| 1000 + | 1,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-127
- Codice costruttore:
- SQS174ELNW-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 87A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 72V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | SQS174ELNW | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0072Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 69nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 103W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 87A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 72V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie SQS174ELNW | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0072Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 69nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 103W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti compatti e termicamente impegnativi. Supporta una tensione di scarico fino a 72 V e gestisce correnti di scarico continue fino a 87 A a 175 °C, il che lo rende adatto per i robusti sistemi di alimentazione automobilistica. Confezionato in PowerPAK 1212-8SLW, è dotato di tecnologia TrenchFET Gen IV per un RDS(on) ultrabasso e prestazioni termiche ottimizzate.
Certificazione AEC-Q101
Senza Pb
Prodotto privo di alogeni
Terminali a fianco umidificabili
Conforme alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SQS174ELNW-T1_GE3
- MOSFET singoli Vishay 0.012 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.012 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SQS178ELNW-T1_GE3
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIRS5702DP-T1-RE3
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SISS32LDN-T1-BE3
- MOSFET singoli Vishay 0.058 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie