MOSFET singoli Vishay, canale N 40 V, 0.0052 Ω Miglioramento, 94 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SQS146ELNW-T1_GE3

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Codice RS:
653-075
Codice costruttore:
SQS146ELNW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

94A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQS146

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0052Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

91W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

3.3mm

Altezza

750μm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta una tensione di scarico fino a 40 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK 1212-8SLW, è dotato di tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni termiche ed elettriche superiori.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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