MOSFET singoli Vishay, canale N 100 V, 0.058 Ω Miglioramento, 19.6 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ190ELP-T1_GE3

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MOSFET singoli Vishay, canale N 100 V, 0.058 Ω Miglioramento, 19.6 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie
Codice RS
653-120

1 nastro da 1

0,72 €

(IVA esclusa)

0,88 €

(IVA inclusa)

Codice RS:
653-119
Codice costruttore:
SQJ190ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

19.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SQJ190

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.058Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.07mm

Larghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

5.13mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti ad alta potenza. Supporta una tensione di scarico fino a 100 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET per prestazioni termiche ed elettriche ottimizzate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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