Codice costruttore

MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.058 Ω Miglioramento, 19.6 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ190ELP-T1_GE3

Codice RS:: 653-119
Codice costruttore:: SQJ190ELP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.058 Ω Miglioramento, 19.6 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ190ELP-T1_GE3

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MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.058 Ω Miglioramento, 19.6 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie

Codice RS: 653-120

1 nastro da 1

0,70 €

(IVA esclusa)

0,85 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 653-119
Codice costruttore:: SQJ190ELP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	19.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	SQJ190
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.058Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	21nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	45W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	AEC-Q101
	Lunghezza	5.13mm
	Larghezza	6.22mm
	Altezza	1.07mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 19.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie SQJ190
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.058Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 21nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 45W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni AEC-Q101
	Lunghezza 5.13mm
	Larghezza 6.22mm
	Altezza 1.07mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SQJ190ELP-T1_GE3

Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti ad alta potenza. Supporta una tensione di scarico fino a 100 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET per prestazioni termiche ed elettriche ottimizzate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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