MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.058 Ω Miglioramento, 19.6 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ190ELP-T1_GE3

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Codice RS:
653-119
Codice costruttore:
SQJ190ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SQJ190

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.058Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.13mm

Larghezza

6.22 mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti ad alta potenza. Supporta una tensione di scarico fino a 100 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET per prestazioni termiche ed elettriche ottimizzate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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