Codice costruttore

MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 40 V, 0.00317 Ω Miglioramento, 123 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ738EP-T1_GE3

Codice RS:: 653-066
Codice costruttore:: SQJ738EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 40 V, 0.00317 Ω Miglioramento, 123 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ738EP-T1_GE3

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MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 40 V, 0.00317 Ω Miglioramento, 123 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie

Codice RS: 653-067

1 nastro da 1

2,17 €

(IVA esclusa)

2,65 €

(IVA inclusa)

Codice RS:: 653-066
Codice costruttore:: SQJ738EP-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Tipo di canale	Doppio N
	Massima corrente di scarico continua Id	123A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	SQJ738EP
	Tipo di package	PowerPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00317Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	56nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	93W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	AEC-Q101
	Larghezza	5.09mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Tipo di canale Doppio N
	Massima corrente di scarico continua Id 123A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie SQJ738EP
	Tipo di package PowerPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00317Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 93W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni AEC-Q101
	Larghezza 5.09mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SQJ738EP-T1_GE3

Paese di origine:: CN

Il MOSFET a doppio canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti difficili. Supporta una tensione di scarico fino a 40 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni termiche ed elettriche migliorate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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