MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 40 V, 0.00317 Ω Miglioramento, 123 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJ738EP-T1_GE3

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Codice RS:
653-066
Codice costruttore:
SQJ738EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQJ738EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00317Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

93W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.09 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a doppio canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti difficili. Supporta una tensione di scarico fino a 40 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni termiche ed elettriche migliorate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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