MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 40 V, 0.00317 Ω Miglioramento, 123 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

2,35 €

(IVA esclusa)

2,87 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i
Per Nastro
1 - 92,35 €
10 - 242,28 €
25 - 992,24 €
100 - 4991,90 €
500 +1,79 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-067
Codice costruttore:
SQJ738EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Doppio N

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQJ738EP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00317Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

93W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

5.09 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a doppio canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in ambienti difficili. Supporta una tensione di scarico fino a 40 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in PowerPAK SO-8L, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni termiche ed elettriche migliorate.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati