MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.03 Ω Miglioramento, 6 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SQ2310CES-T1_GE3

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Codice RS:
653-114
Codice costruttore:
SQ2310CES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQ2310CES

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±8 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

2.64 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N compatto Vishay per uso automobilistico su misura per le applicazioni di commutazione a bassa tensione. Con una tensione nominale di scarico-sorgente di 20 V e una temperatura di giunzione massima di 175 °C, è ideale per ambienti con spazio ristretto e termicamente impegnativi. Viene fornito in un contenitore SOT-23 e sfrutta la tecnologia TrenchFET per prestazioni efficienti.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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