MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.03 Ω Miglioramento, 6 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 653-116
- Codice costruttore:
- SQ2310CES-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 nastro da 1 unità*
0,31 €
(IVA esclusa)
0,38 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2685 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,31 € |
| 25 - 99 | 0,28 € |
| 100 - 499 | 0,25 € |
| 500 - 999 | 0,22 € |
| 1000 + | 0,19 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-116
- Codice costruttore:
- SQ2310CES-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | SQ2310CES | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.03Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±8 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Larghezza | 2.64 mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie SQ2310CES | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.03Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±8 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Larghezza 2.64 mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET a canale N compatto Vishay per uso automobilistico su misura per le applicazioni di commutazione a bassa tensione. Con una tensione nominale di scarico-sorgente di 20 V e una temperatura di giunzione massima di 175 °C, è ideale per ambienti con spazio ristretto e termicamente impegnativi. Viene fornito in un contenitore SOT-23 e sfrutta la tecnologia TrenchFET per prestazioni efficienti.
Certificazione AEC-Q101
Senza Pb
Prodotto privo di alogeni
Conforme alla direttiva RoHS
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.03 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SQ2310CES-T1_GE3
- MOSFET singoli Vishay 0.058 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.0052 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.0072 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.012 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.0055 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.00317 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET singoli Vishay 0.00065 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie
