MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0055 Ω Miglioramento, 136 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJQ114EL-T1_GE3

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Codice RS:
653-071
Codice costruttore:
SQJQ114EL-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

136A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SQJQ114EL

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0055Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

277W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8mm

Altezza

1.9mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

8 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è ottimizzato per la commutazione di potenza ad alta efficienza in ambienti difficili. Supporta una tensione di scarico fino a 100 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Alloggiato in un contenitore PowerPAK 8x8L, sfrutta la tecnologia TrenchFET Gen IV per prestazioni termiche ed elettriche superiori.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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