MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00065 Ω Miglioramento, 413 A, 4 Pin, PowerPAK, Superficie SQJQ140ER-T1_GE3

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Codice RS:
653-124
Codice costruttore:
SQJQ140ER-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

413A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SQJQ140ER

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00065Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

214W

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

288nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.42mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

8 mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi compatti e ad alta densità di potenza. Supporta fino a 40 V di tensione di scarico-sorgente e fornisce un'eccezionale gestione della corrente con fino a 413 A a 175 °C. Alloggiato in un contenitore sottile PowerPAK 8x8LR, sfrutta la tecnologia TrenchFET Gen IV per un RDS(on) ultrabasso e prestazioni termiche superiori.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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